痕量級(jí)AMC空氣分子污染物監(jiān)測(cè)系統(tǒng)

DK-S4500F-AMC

Ma,Mb(NH₃,HCL,HF等)監(jiān)測(cè)---半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用

概述

在深紫外（DUV）及更先進(jìn)的光刻工藝中，器件的特征尺寸不斷縮小，對(duì)工藝環(huán)境的純凈度提出了近乎苛刻的要求。實(shí)踐表明，氨氣（NH₃）、鹽酸（HCl）、（HF）等痕量空氣分子污染物（AMC），即使?jié)舛鹊椭羛pb級(jí)，也足以在晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致光刻膠中毒、關(guān)鍵尺寸（CD）漂移或缺陷生成，直接威脅產(chǎn)品良率與可靠性。

為此，我們推出DK-S4500F-AMC空氣分子污染物監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。本系統(tǒng)基于腔增強(qiáng)吸收光譜（CEAS） 這一前沿光學(xué)檢測(cè)技術(shù)，能夠?qū)H₃、HCl、HF等關(guān)鍵污染物進(jìn)行sub-ppb級(jí)、秒響應(yīng)的連續(xù)精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)。

原理

DK-S4500F-AMC一舉攻克監(jiān)測(cè)難題，可對(duì)深紫外光刻尤為敏感的NH₃、HCl、HF實(shí)現(xiàn)痕量級(jí)（sub-ppb）實(shí)時(shí)測(cè)量，并集成增強(qiáng)離子遷移譜EIMS檢測(cè)MA、紫外脈沖熒光法測(cè)NH₃和NO_x、增強(qiáng)型GC-FID/GC-PID檢測(cè)MC構(gòu)成完整解決方案。

l EIMS離子遷移譜檢測(cè)Ma（HF、HCl、HNO₃等）

l 紫外脈沖熒光法檢測(cè)NH₃和NO_X

l 增強(qiáng)型GC-FID/GC-PID檢測(cè)MC（DOP、DBP、DEP、BHT、TVOCs等）

特性

l sub-ppb級(jí)實(shí)時(shí)測(cè)量

l 苛刻危險(xiǎn)環(huán)境下可連續(xù)無(wú)人值守測(cè)量

l 長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性

l
固態(tài)電子器件無(wú)可移動(dòng)部件

l 低維護(hù)量、長(zhǎng)免維護(hù)期

l 出廠標(biāo)定

l 單組份/多組份痕量級(jí)氣體測(cè)量

l 4~64通道多點(diǎn)采樣

l 獨(dú)立可編程報(bào)警、繼電器設(shè)置

l 可獨(dú)立編程采樣點(diǎn)順序和吹掃通道

l 開(kāi)放的通訊協(xié)議，便于二次開(kāi)發(fā)與集成

l 電源斷電或者斷閘，數(shù)據(jù)無(wú)丟失

l 觸摸屏允許數(shù)據(jù)顯示、表格顯示、曲線顯示等

l ? “外徑接口

l 管線：PFA、PVDF

l 距離采樣點(diǎn)最長(zhǎng)管線：80m

l 可遠(yuǎn)程操作或可視化操作。

l 校準(zhǔn)報(bào)告

l 通過(guò)采樣器或者快速回路泵采樣

應(yīng)用

l 深紫外（DUV）及先進(jìn)光刻區(qū)AMC實(shí)時(shí)監(jiān)控

l 化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）與濕法刻蝕區(qū)域酸性/堿性氣體監(jiān)測(cè)

l 離子注入與薄膜沉積設(shè)備區(qū)域AMC控制

l 廠務(wù)送風(fēng)與回風(fēng)系統(tǒng)AMC溯源與過(guò)濾器管理

操作界面

圖標(biāo)和數(shù)值                                                 趨勢(shì)圈和數(shù)值                                  

技術(shù)參數(shù)