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東莞市協(xié)美電子有限公司
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| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號JSM-7800F
品 牌
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地東莞市
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更新時間：2025-08-21 20:25:01瀏覽次數(shù)：78次
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新一代掃描電鏡JSM-7800F配備了新開發(fā)的超級混合式物鏡（SHL），在保持*的可操作性的同時，實現(xiàn)了低加速電壓下的高分辨率，電子源采用浸沒式（in-lens）肖特基場發(fā)射電子槍，因而能以大束流電流進(jìn)行穩(wěn)定的分析。
通過超級混合式物鏡(SHL)進(jìn)行高分辨率觀察 JSM-7800F的物鏡采用的是靜電場和靜磁場疊加的超級混合式物鏡(SHL)，由于減少了色差及球差，*地提高了低加速電壓下的分辨率。此外，SHL不會對樣品形成磁場影響，因此觀察磁性材料的樣品和進(jìn)行EBSD測試可以不受制約。 |  |
 | 低加速電壓下的能量選擇能量過濾器位于高位檢測器 (UED)的正下方，可以選擇能量。即使在低加速電壓下，也能夠精確地選擇二次電子和背散射電子，因而可以通過低加速電壓下的背散射電子像，觀察樣品的淺表面。 |
通過GENTLE BEAM （即柔和光束GB模式）觀察樣品的淺表面給樣品加以偏壓(GB)，對入射電子有減速、對釋放出的電子有加速作用。即使入射電子束到達(dá)樣品時的能量很低，也可以獲得高分辨率、高信噪比的圖像。如果利用能施加更高偏壓的GB模式，用數(shù)十電子伏能量的入射電子束，就可以進(jìn)行更高分辨率的觀察。 |  |
 | 通過多個檢測器獲取樣品的所有信息JSM-7800F配有四種檢測器：高位檢測器(UED) 、高位二次電子檢測器(USD)、背散射電子檢測器(BED)和低位檢測器(LED)。UED過濾器的電壓不同，二次電子和背散射電子的數(shù)量會改變，因此可以選擇電子的能量，USD檢測被過濾器彈回的低能量電子，BED通過檢測低角度的背散射電子，能清楚地觀察通道襯度。利用LED的照明效果能夠獲得含有形貌信息的、富有立體感的圖像。 |
 | 低加速電壓下的觀察 樣品: 石墨烯 到達(dá)能量80eV |
 | 利用GBSH觀察 樣品：介孔二氧化硅 到達(dá)樣品的能量: 1keV |
 | 觀察磁性材料樣品 樣品: 磁鐵礦納米顆?！〉竭_(dá)樣品的能量: 1keV |
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UED和USD能同時獲取背散射電子像(左圖)和二次電子像(右圖)，因此可以精確地解釋圖像。二次電子像主要反映形貌信息，金顆粒和TiO2的襯度沒有明顯不同，而背散射電子像中原子序數(shù)高的金顆粒則顯得明亮。樣品: 金負(fù)載型TiO2催化劑(2kV)g | |
磁性樣品的EBSD測試 | |
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| 分析點數(shù): 118585 尺寸: Xzui大: 80.00微米, Y zui大: 79.89微米 步長: 0.25微米 相: Nd2Fe14B | 從樣品中獲得的EBSD花樣實例 ( 在任意點上獲取) |
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| ND | TD | RD |
產(chǎn)品規(guī)格
| 分辨率 | 0.8 nm(15 kV) 1.2 nm(1 kV) 3.0 nm (15kV、5nA、WD10mm) |
| 倍率 | ×25 ～ ×1,000,000(SEM) |
| 加速電壓 | 0.01kV ～ 30kV |
| 樣品照射電流(探針電流) | 數(shù)pA～200nA |
| 自動光闌角*控制透鏡 | 內(nèi)置 |
| 檢測器 | 高位檢測器(UED) 低位檢測器(LED) |
| 能量過濾器 | UED過濾器電壓可變功能內(nèi)置 |
| Gentle Beam （GB模式即柔和光束） (樣品偏壓) | 內(nèi)置 |
| 數(shù)字圖像 | 1,280 x 960 像素, 800 x 600 像素 |
| 樣品交換室 | 由TYPE2A構(gòu)成 |
| 樣品臺 | 全對中測角樣品臺、5軸馬達(dá)驅(qū)動 |
| X-Y | X:70mm, Y:50mm |
| 傾斜 | －5 ～ ＋70° |
| 旋轉(zhuǎn) | 360° |
| 工作距離 | 2mm to 25mm |
| 真空系統(tǒng) | SIP 2臺、TMP、RP |
| 節(jié)能設(shè)計 | 正常運(yùn)行時: 1.3kVA 節(jié)能模式時: 0.8ｋV |
JSM-7800F的物鏡采用的是靜電場和靜磁場疊加的超級混合式物鏡(SHL)，由于減少了色差及球差，*地提高了低加速電壓下的分辨率。此外，SHL不會對樣品形成磁場影響，因此觀察磁性材料的樣品和進(jìn)行EBSD測試可以不受制約。
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